DB107-G
Comchip Technology
Deutsch
Artikelnummer: | DB107-G |
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Hersteller / Marke: | Comchip Technology |
Teil der Beschreibung.: | BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.61 |
10+ | $0.525 |
100+ | $0.392 |
500+ | $0.308 |
1000+ | $0.238 |
2000+ | $0.217 |
5000+ | $0.203 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Spitzensperr- (max) | 1 kV |
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1 V @ 1 A |
Technologie | Standard |
Supplier Device-Gehäuse | DB |
Serie | - |
Verpackung / Gehäuse | 4-EDIP (0.321', 8.15mm) |
Paket | Bulk |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Diodentyp | Single Phase |
Strom - Sperrleckstrom @ Vr | 10 µA @ 1000 V |
Strom - Richt (Io) | 1 A |
Grundproduktnummer | DB107 |
DB107-G Einzelheiten PDF [English] | DB107-G PDF - EN.pdf |
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIE
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB-S
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB
Interface
Interface
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB-1
BRIDGE RECT 1000V 1A DB-S
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIE
BRIDGE RECT 1000V 1A DB-LS
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB-M
BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A DB-1
BRIDGE RECT 1000V 1A DB-1
BRIDGE RECT 1PHASE 800V 1A DB-M
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() DB107-GComchip Technology |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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